RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wynik ogólny
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
33
Wokół strony -3% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
32
Prędkość odczytu, GB/s
8.0
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1911
2831
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link