RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
37
Wokół strony 11% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.1
8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
37
Prędkość odczytu, GB/s
8.0
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1911
2873
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB Porównanie pamięci RAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link