RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
58
Wokół strony 43% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.3
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
58
Prędkość odczytu, GB/s
8.0
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
9.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1911
1968
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link