RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
33
Wokół strony -38% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
24
Prędkość odczytu, GB/s
8.0
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1911
2854
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
Micron Technology 16HTF25664AY-800E1 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.C16FH 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link