RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
33
Wokół strony -18% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.6
8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.2
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
28
Prędkość odczytu, GB/s
8.0
21.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
18.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1911
3890
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6D1 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
INTENSO 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G13332 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link