RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
40
Wokół strony 18% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.7
8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.4
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
40
Prędkość odczytu, GB/s
8.0
13.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
9.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1911
2411
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link