RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70QH0-YK0 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Porównaj
Samsung M393B2G70QH0-YK0 16GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70QH0-YK0 16GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70QH0-YK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
63
Wokół strony -174% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
8.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
5.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70QH0-YK0 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
23
Prędkość odczytu, GB/s
8.1
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
5.8
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1740
2938
Samsung M393B2G70QH0-YK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR533D2N4 512MB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link