RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Porównaj
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB vs A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
51
Wokół strony -104% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.7
10.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
7.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
25
Prędkość odczytu, GB/s
10.2
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.6
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2049
3729
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMT8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link