RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Porównaj
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB vs Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
51
Wokół strony -82% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.1
10.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.9
7.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
28
Prędkość odczytu, GB/s
10.2
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.6
13.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2049
3534
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMT8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link