RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Porównaj
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
51
Wokół strony -65% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.8
10.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.1
7.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
31
Prędkość odczytu, GB/s
10.2
20.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.6
16.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2049
3878
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMT8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Corsair CMZ8GX3M2A1600C9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link