RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Porównaj
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
51
Wokół strony -76% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.4
10.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
7.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
29
Prędkość odczytu, GB/s
10.2
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.6
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2049
3614
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMT8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link