RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Porównaj
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
51
Wokół strony -113% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19
10.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.1
7.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
24
Prędkość odczytu, GB/s
10.2
19.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.6
17.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2049
4069
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMT8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link