RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Porównaj
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
51
61
Wokół strony 16% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
10.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.8
7.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
61
Prędkość odczytu, GB/s
10.2
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.6
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2049
2134
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMT8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link