RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Porównaj
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB vs UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Wynik ogólny
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
51
64
Wokół strony 20% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.1
10.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
7.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
64
Prędkość odczytu, GB/s
10.2
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.6
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2049
1948
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMT8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link