RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
49
Wokół strony -53% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
10
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
32
Prędkość odczytu, GB/s
10.0
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2116
3196
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link