RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
49
Wokół strony -81% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.1
10
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.2
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
27
Prędkość odczytu, GB/s
10.0
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2116
3784
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link