RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
49
Wokół strony -81% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.1
10
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.7
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
27
Prędkość odczytu, GB/s
10.0
20.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
16.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2116
3759
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Lenovo LMKUFG68AHFHD-32A 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link