RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
49
70
Wokół strony 30% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
10
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
70
Prędkość odczytu, GB/s
10.0
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2116
1838
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link