RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
49
Wokół strony -69% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.1
10
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.8
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
29
Prędkość odczytu, GB/s
10.0
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
9.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2116
2750
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link