RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
49
Wokół strony -20% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.7
10
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
41
Prędkość odczytu, GB/s
10.0
12.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2116
2501
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link