RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
49
Wokół strony -81% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
10
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
27
Prędkość odczytu, GB/s
10.0
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2116
3288
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link