RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
49
Wokół strony -75% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.6
10
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
28
Prędkość odczytu, GB/s
10.0
18.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
15.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2116
3519
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link