RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
49
Wokół strony -123% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
10
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
22
Prędkość odczytu, GB/s
10.0
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2116
3192
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link