RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
49
Wokół strony -69% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
23.4
10
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.3
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
29
Prędkość odczytu, GB/s
10.0
23.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
18.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2116
4208
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
SK Hynix HMT351U7CFR8C-PB 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link