RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
10
9.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
7.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
49
Wokół strony -32% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
37
Prędkość odczytu, GB/s
10.0
9.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
7.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2116
2046
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Kingston 9965516-481.A00LF 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link