RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
49
Wokół strony -123% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
10
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.9
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
22
Prędkość odczytu, GB/s
10.0
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
8.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2116
2623
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMT41GS6MFR8C-H9 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link