RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
49
Wokół strony -63% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
10
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
30
Prędkość odczytu, GB/s
10.0
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2116
3527
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link