RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
49
Wokół strony -40% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
10
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.1
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
35
Prędkość odczytu, GB/s
10.0
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2116
3191
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB Porównanie pamięci RAM
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link