RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
49
Wokół strony -32% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.5
10
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.5
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
37
Prędkość odczytu, GB/s
10.0
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2116
2389
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link