RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
49
Wokół strony -29% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.2
10
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.8
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
38
Prędkość odczytu, GB/s
10.0
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
9.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2116
2451
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Kingston 9905403-519.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
INTENSO 5641160 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link