RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
49
Wokół strony -63% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.6
10
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
30
Prędkość odczytu, GB/s
10.0
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2116
2770
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link