RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
49
Wokół strony -32% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.6
10
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
37
Prędkość odczytu, GB/s
10.0
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2116
2780
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link