RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
49
Wokół strony -40% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.1
10
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.3
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
35
Prędkość odczytu, GB/s
10.0
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
11.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2116
2631
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link