RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
49
62
Wokół strony 21% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
6.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
10
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
62
Prędkość odczytu, GB/s
10.0
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
6.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2116
1586
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link