RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs AMD R748G2606U2S 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
AMD R748G2606U2S 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
61
Wokół strony 56% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
AMD R748G2606U2S 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.9
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
61
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
8.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
2028
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
AMD R748G2606U2S 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link