RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
43
Wokół strony 37% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.6
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.9
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
43
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
13.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
3252
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link