RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
29
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.8
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
29
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
2635
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
InnoDisk Corporation 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link