RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
33
Wokół strony 18% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.3
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.1
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
33
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
19.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
3423
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link