RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
28
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.6
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.7
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
28
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
19.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
15.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
3807
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Corsair CM3X2G1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link