RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
27
Wokół strony -13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.0
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
24
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
2445
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link