RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
27
Wokół strony -23% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
22
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
2809
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link