RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
36
Wokół strony 25% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.5
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
36
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
14.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
2519
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Kingston KNWMX1-ETB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Jinyu 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link