RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
37
Wokół strony 27% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.1
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
37
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
2804
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link