RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
30
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
30
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
3119
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Panram International Corporation M424016 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link