RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
27
Wokół strony -29% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
21
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
3202
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link