RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
27
Wokół strony -23% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.4
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
22
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
14.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
3166
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Mushkin 996902 2GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link