RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
27
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.5
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.3
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
18
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
20.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
16.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
3575
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
AMD R748G2400U2S 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link