RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
32
Wokół strony 16% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.1
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.6
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
32
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
16.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
3742
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link