RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
27
Wokół strony -17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
23
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
3171
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link