RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
80
Wokół strony 66% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
80
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
1775
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
‹
›
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link