RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
80
Wokół strony 66% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
80
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
1775
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link